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PMV50ENEAR  与  DMG3418L-7  区别

型号 PMV50ENEAR DMG3418L-7
唯样编号 A-PMV50ENEAR A3-DMG3418L-7
制造商 Nexperia Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60mΩ@4A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.51W 1.4W(Ta)
输出电容 55pF -
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.9A 4A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
输入电容 276pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 464.3pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 43mΩ@3.9A,10V -
库存与单价
库存 39 24,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
10+ :  ¥1.5663
100+ :  ¥1.1602
1,000+ :  ¥0.8994
1,500+ :  ¥0.7372
3,000+ :  ¥0.6641
暂无价格
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10: ¥1.5663
100: ¥1.1602
1,000: ¥0.8994
1,500: ¥0.7372
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