PMV50ENEAR 与 FDN357N 区别
| 型号 | PMV50ENEAR | FDN357N | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMV50ENEAR | A36-FDN357N | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB | N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 0.51W | 500mW(Ta) | ||||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||
| 输出电容 | 55pF | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT23 | SuperSOT | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.9A | 1.9A | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||
| 输入电容 | 276pF | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 43mΩ@3.9A,10V | 60 毫欧 @ 2.2A,10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 9 | 7,753 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PMV50ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 43mΩ@3.9A,10V 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 3.9A 车规 |
暂无价格 | 9 | 当前型号 | ||||||||||
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AO3418 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.8437
|
20,707 | 对比 | ||||||||||
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DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta) |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | ||||||||||
|
AO3434A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 12V 4A 1.4W 52mΩ@10V |
￥0.832
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8,105 | 对比 | ||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.378
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7,753 | 对比 | |||||||||||
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RQ5E030AJTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 3A(Ta) ±12V 1W(Tc) 75mΩ@3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-96 |
暂无价格 | 6,170 | 对比 |
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