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PMV50UPE,215  与  IRLML6402GTRPBF  区别

型号 PMV50UPE,215 IRLML6402GTRPBF
唯样编号 A-PMV50UPE,215 A-IRLML6402GTRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 66mΩ@3.2A,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -20V -
Pd-功率耗散(Max) 0.5W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 633pF @ 10V
输出电容 106pF -
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id -3.7A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 5V
输入电容 24pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.7A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 12,699 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥1.3782
100+ :  ¥1.0209
1,000+ :  ¥0.7914
1,500+ :  ¥0.6487
3,000+ :  ¥0.5844
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMV50UPE,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV50UPE_SOT23

¥1.3782 

阶梯数 价格
10: ¥1.3782
100: ¥1.0209
1,000: ¥0.7914
1,500: ¥0.6487
3,000: ¥0.5844
12,699 当前型号
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暂无价格 0 对比

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