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PSMN008-75B,118  与  IRF1010NSTRRPBF  区别

型号 PSMN008-75B,118 IRF1010NSTRRPBF
唯样编号 A-PSMN008-75B,118 A-IRF1010NSTRRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 230W 180W(Tc)
漏源极电压Vds 75V 55V
输出电容 525pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 85A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 5260pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) 8.5mΩ@10V 11mΩ@43A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥11.8463
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN008-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 8.5mΩ@10V 230W 175°C 3V 75V 75A

¥11.8463 

阶梯数 价格
800: ¥11.8463
0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
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-55°C~175°C(TJ) D2PAK 75V 80A 7.34mΩ 20V 140W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFS7787PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
IRF1010NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB470L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 75V ±25V 100A 268W 10.2mΩ@30A,10V -55°C~175°C

¥2.9014 

阶梯数 价格
800: ¥2.9014
0 对比

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