PSMN008-75B,118 与 IRF1010NSTRRPBF 区别
| 型号 | PSMN008-75B,118 | IRF1010NSTRRPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN008-75B,118 | A-IRF1010NSTRRPBF | ||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 230W | 180W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 75V | 55V | ||
| 输出电容 | 525pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK | ||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 75A | 85A | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA | ||
| 输入电容 | 5260pF | - | ||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 3210pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 120nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 8.5mΩ@10V | 11mΩ@43A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 3210pF @ 25V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 120nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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PSMN008-75B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 8.5mΩ@10V 230W 175°C 3V 75V 75A |
¥11.8463
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0 | 当前型号 | ||||
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STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS3607TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) D2PAK 75V 80A 7.34mΩ 20V 140W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS7787PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.4mΩ@46A,10V N-Channel 75V 76A D²PAK(TO-263AB) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF1010NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AOB470L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 75V ±25V 100A 268W 10.2mΩ@30A,10V -55°C~175°C |
¥2.9014
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0 | 对比 |