PSMN008-75B,118 与 IRF3808STRLPBF 区别
| 型号 | PSMN008-75B,118 | IRF3808STRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN008-75B,118 | A-IRF3808STRLPBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | IRF3808S Series N-Channel 75 V 7 mO 200 W HEXFET MosFet Surface Mount - D2-PAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7mΩ@82A,10V |
| 漏源极电压Vds | 75V | 75V |
| Pd-功率耗散(Max) | 230W | 200W(Tc) |
| 输出电容 | 525pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 75A | 106A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 输入电容 | 5260pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 220nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 8.5mΩ@10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5310pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 220nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN008-75B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 75V 75A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
PHB110NQ08T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 75V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF3808STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@82A,10V N-Channel 75V 106A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFS7787PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.4mΩ@46A,10V N-Channel 75V 76A D²PAK(TO-263AB) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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