PSMN015-60BS,118 与 STB60NF06LT4 区别
| 型号 | PSMN015-60BS,118 | STB60NF06LT4 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN015-60BS,118 | A36-STB60NF06LT4 | ||||||
| 制造商 | Nexperia | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | MOSFET | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 宽度 | - | 9.35 mm | ||||||
| 正向跨导-最小值 | - | 20 S | ||||||
| 上升时间 | - | 220 ns | ||||||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±15V | ||||||
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK | ||||||
| 工作温度 | 175°C | -65°C~175°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 50A | 60A | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 输入电容 | 1220pF | - | ||||||
| 长度 | - | 10.4 mm | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 5V,10V | ||||||
| 下降时间 | - | 30 ns | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 14.8mΩ@10V | 14mΩ@30A,10V | ||||||
| 高度 | - | 4.6 mm | ||||||
| 功率耗散Pd | 86W | 110W(Tc) | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||
| 输出电容 | 169pF | - | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 55 ns | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 系列 | - | STB | ||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2000pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 66nC @ 4.5V | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 35 ns | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 949 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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PSMN015-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 14.8mΩ@10V 86W 175°C 3V 60V 50A |
￥7.7297
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0 | 当前型号 | ||||||
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STB55NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||
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STB36NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||
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STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||
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STB60NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A |
￥7.7178
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949 | 对比 | ||||||
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NTB60N06T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
D²PAK |
暂无价格 | 564 | 对比 |
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