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PSMN017-30BL,118  与  IRF3709ZSTRRPBF  区别

型号 PSMN017-30BL,118 IRF3709ZSTRRPBF
唯样编号 A-PSMN017-30BL,118 A-IRF3709ZSTRRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK N-Channel 30 V 6.3 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.3mΩ@21A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 47W 79W(Tc)
输出电容 127pF -
栅极电压Vgs 1.7V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 32A 87A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 15V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 250µA
输入电容 552pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2130pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 23.3mΩ@4.5V,17mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2130pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN017-30BL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 47W 175°C 1.7V 30V 32A

暂无价格 0 当前型号
IRL2203NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@60A,10V N-Channel 30V 116A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF3709STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 90A(Tc) ±20V 3.1W(Ta),120W(Tc) 9mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF3709ZSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.3mΩ@21A,10V N-Channel 30V 87A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRL3803STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 140A(Tc) ±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) 6mΩ@71A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比
IRL3803STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@71A,10V N-Channel 30V 140A D2PAK

暂无价格 0 对比

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