PSMN017-80BS,118 与 IRF3007SPBF 区别
| 型号 | PSMN017-80BS,118 | IRF3007SPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN017-80BS,118 | A-IRF3007SPBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 12.6mΩ@48A,10V |
| 漏源极电压Vds | 80V | 75V |
| Pd-功率耗散(Max) | 103W | 120W(Tc) |
| 输出电容 | 154pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 50A | 62A(Tc) |
| 输入电容 | 1573pF | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 17mΩ@10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3270pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN017-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 103W 175°C 3V 80V 50A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF3007SPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 75V 62A(Tc) ±20V 120W(Tc) 12.6mΩ@48A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
IRF2807STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 75V 82A(Tc) ±20V 230W(Tc) 13mΩ@43A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF3710STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@28A,10V N-Channel 100V 57A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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