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PSMN020-100YS,115  与  BSC196N10NSGATMA1  区别

型号 PSMN020-100YS,115 BSC196N10NSGATMA1
唯样编号 A-PSMN020-100YS,115 A-BSC196N10NSGATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56 MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 78W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 106W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2300pF @ 50V
输出电容 167pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT669 8-PowerTDFN
工作温度 175℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 43A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 42uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 10V
输入电容 2210pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 19.6 毫欧 @ 45A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 8.5A(Ta),45A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 20.5mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
380+ :  ¥5.3697
750+ :  ¥4.4014
1,500+ :  ¥4.038
暂无价格
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¥5.3697 

阶梯数 价格
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