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PSMN1R9-40PLQ  与  IRLB3034PBF  区别

型号 PSMN1R9-40PLQ IRLB3034PBF
唯样编号 A-PSMN1R9-40PLQ A-IRLB3034PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB Single N-Channel 40 V 375 W 108 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.7mΩ@195A,10V
上升时间 - 827ns
Qg-栅极电荷 - 108nC
栅极电压Vgs 1.7V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 286S
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 150A 343A
配置 - Single
输入电容 13200pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 355ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10315pF @ 25V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 349W 375W
输出电容 1530pF -
典型关闭延迟时间 - 97ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10315pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 162nC @ 4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 1.94mΩ@4.5V,1.7mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 65ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 162nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
340+ :  ¥16.5163
暂无价格
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