PSMN2R0-30PL,127 与 IRF3708PBF 区别
| 型号 | PSMN2R0-30PL,127 | IRF3708PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN2R0-30PL,127 | A-IRF3708PBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N chan, 30V, 100A, 2.1 mOhms, TO-220 | Single N-Channel 30 V 87 W 24 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 12mΩ@15A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 211W | 87W(Tc) |
| 输出电容 | 1410pF | - |
| 栅极电压Vgs | 1.7V | ±12V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT78 | TO-220AB |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 100A | 62A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 2V @ 250µA |
| 输入电容 | 6810pF | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2417pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 24nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 2.8V,10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 2.8mΩ@4.5V,2.1mΩ@10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2417pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 24nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN2R0-30PL,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 211W 175°C 1.7V 30V 100A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STP90NF03L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 322,800 | 对比 |
|
STP90NF03L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRL3803PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@71A,10V N-Channel 30V 140A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRL3713PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@38A,10V N-Channel 30V 260A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF3708PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 87W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@15A,10V N-Channel 30V 62A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |