PSMN2R3-100SSEJ 与 SIJH112E-T1-GE3 区别
| 型号 | PSMN2R3-100SSEJ | SIJH112E-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN2R3-100SSEJ | A3t-SIJH112E-T1-GE3 | ||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | PSMN2R3-100SSE/SOT1235/LFPAK88 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | - | 3.3W(Ta),333W(Tc) | ||
| 功率耗散(最大值) | 341W(Ta) | - | ||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 17200 pF @ 50 V | - | ||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 160 nC @ 10 V | - | ||
| 封装/外壳 | SOT1235 | 8-PowerTDFN | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | - | ||
| 连续漏极电流Id | - | 23A(Ta),225A(Tc) | ||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 2.2 毫欧 @ 25A,10V | - | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 255A(Ta) | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 100 V | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | - | 2.8 mOhms @ 20A,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN2R3-100SSEJ | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1235 -55°C~175°C(TJ) N 通道 |
￥39.0297
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0 | 当前型号 | ||||
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SIJH112E-T1-GE3 | Vishay | 功率MOSFET |
23A(Ta),225A(Tc) N-Channel 2.8 mOhms @ 20A,10V 3.3W(Ta),333W(Tc) 8-PowerTDFN -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
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SIJH112E-T1-GE3 | Vishay | 功率MOSFET |
23A(Ta),225A(Tc) N-Channel 2.8 mOhms @ 20A,10V 3.3W(Ta),333W(Tc) 8-PowerTDFN -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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