PSMN4R2-60PLQ 与 IRFB3207ZPBF 区别
| 型号 | PSMN4R2-60PLQ | IRFB3207ZPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN4R2-60PLQ | A-IRFB3207ZPBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB | N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.1mΩ@75A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 75V |
| Pd-功率耗散(Max) | 263W | 300W(Tc) |
| 输出电容 | 703pF | - |
| 栅极电压Vgs | 1.7V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT78 | TO-220AB |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 130A | 170A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 50V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 输入电容 | 8533pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6920pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 170nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 3.9mΩ@10V,4.3mΩ@4.5V | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6920pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 170nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN4R2-60PLQ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 263W 175°C 1.7V 60V 130A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFB3207ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) 4.1mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 170A 75V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
AOT262L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 60V 20V 140A 333W 3mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AOT266L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOT264L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 60V 20V 140A 333W 3.2mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AUIRF2805STRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
55V 135A 4.7mΩ 20V 200W N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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