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PSMN4R8-100BSEJ  与  IPB120N08S4-04  区别

型号 PSMN4R8-100BSEJ IPB120N08S4-04
唯样编号 A-PSMN4R8-100BSEJ A-IPB120N08S4-04
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.1mΩ
漏源极电压Vds 100V 80V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 405W -
输出电容 674pF -
栅极电压Vgs 3V 2V,4V
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -
连续漏极电流Id 120A 120A
Ptot max - 179.0W
输入电容 10665pF -
QG - 95.0nC
Rds On(max)@Id,Vgs 4.8mΩ@10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.94
RthJC max - 0.84K/W
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥33.8758
100+ :  ¥25.0932
400+ :  ¥21.2654
800+ :  ¥19.5095
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¥33.8758 

阶梯数 价格
10: ¥33.8758
100: ¥25.0932
400: ¥21.2654
800: ¥19.5095
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