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PSMN6R5-80BS,118  与  IPB80N08S2-07  区别

型号 PSMN6R5-80BS,118 IPB80N08S2-07
唯样编号 A-PSMN6R5-80BS,118 A-IPB80N08S2-07
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ
上升时间 - 50ns
漏源极电压Vds 80V 75V
Pd-功率耗散(Max) 210W 300W
输出电容 410pF -
栅极电压Vgs 3V 20V
典型关闭延迟时间 - 61ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A 80A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
输入电容 4461pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 6.9mΩ@10V -
下降时间 - 30ns
典型接通延迟时间 - 26ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥11.4567
400+ :  ¥9.7091
800+ :  ¥8.9074
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥11.4567 

阶梯数 价格
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