PSMN7R0-100BS,118 与 RJ1P12BBDTLL 区别
| 型号 | PSMN7R0-100BS,118 | RJ1P12BBDTLL | ||||
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| 唯样编号 | A-PSMN7R0-100BS,118 | A33-RJ1P12BBDTLL | ||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | PSMN7R0 Series 100 V 100 A 6.8 mOhm N-Channel Standard Level Mosfet - D2PAK-3 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 269W | 178W(Tc) | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 5.8mOhms@50A,10V | ||||
| 输出电容 | 438pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 4V@2.5mA | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-2 | TO-263-3 | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | 150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 120A(Tc) | ||||
| 输入电容 | 6686pF | - | ||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||
| 栅极电荷Qg | - | 80nC@10V | ||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 6.8mΩ@15A,10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 145 | 23 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 21 - 28天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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PSMN7R0-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-2 N-Channel 269W -55°C~175°C ±20V 100V 100A |
暂无价格 | 145 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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IRFS4310ZTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A D2PAK |
暂无价格 | 800 | 对比 | ||||||||||||||||
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RJ1P12BBDTLL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥47.0688
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800 | 对比 | ||||||||||||||||
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RJ1P12BBDTLL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 4V@2.5mA 178W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥47.0688
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23 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRFS4310ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRFS4310TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@75A,10V N-Channel 100V 130A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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