PSMN7R6-60BS,118 与 AUIRF1010ZSTRL 区别
| 型号 | PSMN7R6-60BS,118 | AUIRF1010ZSTRL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN7R6-60BS,118 | A-AUIRF1010ZSTRL |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 9.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7.5mΩ |
| 上升时间 | - | 150ns |
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 149W | 140W |
| 输出电容 | 342pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 36ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263-3 |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 92A | 94A |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 输入电容 | 2651pF | - |
| 长度 | - | 10mm |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 7.8mΩ@10V | - |
| 下降时间 | - | 92ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 18ns |
| 高度 | - | 4.4mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN7R6-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 149W 175°C 3V 60V 92A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
STB60NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A |
￥7.0015
|
949 | 对比 | ||||||||||
|
NTB60N06T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
D²PAK |
暂无价格 | 564 | 对比 | ||||||||||
|
RJ1L08CGNTLL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
80A(Ta) N-Channel 2.5V@50uA 96W(Ta) TO-263-3 150°C(TJ) 60V |
￥12.7926
|
490 | 对比 | ||||||||||
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@66A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
AUIRF1010ZSTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
7.5mΩ 20V 140W N-Channel 55V 94A TO-263-3 -55°C~175°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
