首页 > 商品目录 > > > > PSMN8R7-80BS,118代替型号比较

PSMN8R7-80BS,118  与  IRF2807ZSPBF  区别

型号 PSMN8R7-80BS,118 IRF2807ZSPBF
唯样编号 A-PSMN8R7-80BS,118 A-IRF2807ZSPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 170W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 170W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3270pF @ 25V
输出电容 296pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 90A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
输入电容 3346pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9.4 毫欧 @ 53A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 75A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.7mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 75V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥9.4565
400+ :  ¥8.014
800+ :  ¥7.3523
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN8R7-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R7-80BS_SOT404

¥9.4565 

阶梯数 价格
210: ¥9.4565
400: ¥8.014
800: ¥7.3523
0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 13,000 对比
AOB66920L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 6,000 对比
AOB288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥6.0816 

阶梯数 价格
1: ¥6.0816
100: ¥4.3824
400: ¥3.7722
800: ¥2.98
800 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IRF2807ZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售