PSMN8R7-80BS,118 与 IRFS4410PBF 区别
| 型号 | PSMN8R7-80BS,118 | IRFS4410PBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN8R7-80BS,118 | A-IRFS4410PBF | ||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK | Single N-Channel 100 V 200 W 120 nC Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 170W | 200W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 80V | 100V | ||
| 输出电容 | 296pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK | ||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 90A | 96A | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA | ||
| 输入电容 | 3346pF | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5150pF @ 50V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 180nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 8.7mΩ@10V | 10mΩ@58A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5150pF @ 50V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 180nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN8R7-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 8.7mΩ@10V 170W 175°C 3V 80V 90A |
￥10.4108
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0 | 当前型号 | ||||
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STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF2807ZSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9.4mΩ@53A,10V N-Channel 75V 89A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IPB083N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 8.3mΩ@73A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS4410PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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