PUMD2,115 与 UMH1NFHATN 区别
| 型号 | PUMD2,115 | UMH1NFHATN | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-PUMD2,115 | A32-UMH1NFHATN-1 | ||||||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| R2 | - | 22K Ohms | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 150mW | ||||||||||||||||
| 特征频率fT | 230MHz,180MHz | 250MHz | ||||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 150mV | 300mV | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||||||||||
| VCBO | 50V | - | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | 100mA | ||||||||||||||||
| VEBO | 10V | - | ||||||||||||||||
| 尺寸 | 2.1*1.25*0.95 | - | ||||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | 50V | ||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 60 | 56 | ||||||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN | ||||||||||||||||
| R1 | - | 22K Ohms | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 1,918 | 2,760 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PUMD2,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥1.5341
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1,918 | 当前型号 | ||||||||||||
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UMD2NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 15,120 | 对比 | ||||||||||||
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UMD2NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.2639
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14,990 | 对比 | ||||||||||||
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DDC124EU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -50V -30mA 2PNP |
￥0.1671
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4,617 | 对比 | ||||||||||||
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RN1903,LF(CT | Toshiba | 数据手册 | 通用三极管 |
US6 2 个 NPN 预偏压式(双) |
￥0.6864
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2,999 | 对比 | ||||||||||||
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UMH1NFHATN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA 车规 NPN |
￥1.4044
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2,760 | 对比 |
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