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PUMD2,115  与  RN1903,LF(CT  区别

型号 PUMD2,115 RN1903,LF(CT
唯样编号 A-PUMD2,115 A36-RN1903,LF(CT
制造商 Nexperia Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 通用三极管
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 300mW -
功率 - 200mW
特征频率fT 230MHz,180MHz -
电阻器-发射极(R2) - 22 千欧
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
集电极-射极饱和电压 150mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
电阻器-基极(R1) - 22 千欧
封装/外壳 SOT-363 US6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
VCBO 50V -
工作温度 -65°C~150°C -
集电极电流Ic 100mA -
频率-跃迁 - 250MHz
VEBO 10V -
尺寸 2.1*1.25*0.95 -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 70 @ 10mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
集电极-发射极Vceo 50V -
直流电流增益hFE 60 -
晶体管类型 NPN+PNP 2 个 NPN 预偏压式(双)
库存与单价
库存 1,918 2,999
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
5+ :  ¥1.5341
100+ :  ¥1.1364
1,000+ :  ¥0.8418
1,500+ :  ¥0.69
3,000+ :  ¥0.6
80+ :  ¥0.6864
200+ :  ¥0.481
1,500+ :  ¥0.4173
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP

¥1.5341 

阶梯数 价格
5: ¥1.5341
100: ¥1.1364
1,000: ¥0.8418
1,500: ¥0.69
3,000: ¥0.6
1,918 当前型号
UMD2NTR ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP

暂无价格 15,120 对比
UMD2NTR ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP

¥1.2639 

阶梯数 价格
100: ¥1.2639
500: ¥1.1235
1,000: ¥1.0532
3,000: ¥0.9128
6,000: ¥0.8426
14,990 对比
DDC124EU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-363 200mW -50V -30mA 2PNP

¥0.1671 

阶梯数 价格
300: ¥0.1671
1,500: ¥0.1454
3,000: ¥0.1288
4,617 对比
RN1903,LF(CT Toshiba  数据手册 通用三极管

US6 2 个 NPN 预偏压式(双)

¥0.6864 

阶梯数 价格
80: ¥0.6864
200: ¥0.481
1,500: ¥0.4173
2,999 对比
UMH1NFHATN ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW 50V 100mA 车规 NPN

¥1.4044 

阶梯数 价格
100: ¥1.4044
500: ¥1.334
1,000: ¥1.1937
2,760 对比

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