QS6K1TR 与 SI3932DV-T1-GE3 区别
| 型号 | QS6K1TR | SI3932DV-T1-GE3 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-QS6K1TR | A36-SI3932DV-T1-GE3 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6 | Si3932DV Series Dual N-Channel 30 V 58 mOhm 1.4 W SMT Power Mosfet - TSOP-6 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TSMT | TSOP-6 | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 1.25W | 1.4W | ||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1A | 3.7A | ||||||||||||||||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | 2.2V @ 250µA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 77pF @ 10V | 235pF @ 15V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.4nC @ 4.5V | 6nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 238mΩ@1A,4.5V | 47mΩ | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 4,458 | 2,960 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥4.6927
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4,458 | 当前型号 | ||||||||||
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
￥3.168
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2,960 | 对比 | ||||||||||
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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