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R6007END3TL1  与  R6002ENDTL  区别

型号 R6007END3TL1 R6002ENDTL
唯样编号 A-R6007END3TL1 A-R6002ENDTL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 20W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 78W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 620mOhms@2.4A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 65pF @ 25V
栅极电压Vgs 4V@1mA -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-252-3 CPT3
连续漏极电流Id 7A(Tc) -
工作温度 150℃(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.4 欧姆 @ 500mA,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg 20nC@10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.7A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 6.5nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6007END3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
R6002ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

暂无价格 0 对比

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