首页 > 商品目录 > > > > R6007ENX代替型号比较

R6007ENX  与  IPA60R750E6  区别

型号 R6007ENX IPA60R750E6
唯样编号 A-R6007ENX A-IPA60R750E6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 620mΩ@2.4A,10V 680mΩ
上升时间 - 7ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 27W
Qg-栅极电荷 - 17.2nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 7A(Tc) 5.7A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSE6
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 12ns
典型接通延迟时间 - 9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 390pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6007ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
AOTF10N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

暂无价格 969 对比
TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220SIS

暂无价格 0 对比
IPA60R750E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R750E6XKSA1_10.65mm

暂无价格 0 对比
IPA60R520E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R520E6XKSA1_10.65mm

暂无价格 0 对比
SPA07N60C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA07N60C3_TO-220-3整包

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售