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R6009ENX  与  SPA07N60C3  区别

型号 R6009ENX SPA07N60C3
唯样编号 A-R6009ENX A-SPA07N60C3
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 535mΩ@2.8A,10V 600mΩ
上升时间 - 3.5ns
Qg-栅极电荷 - 21nC
栅极电压Vgs ±20V 10V
正向跨导 - 最小值 - 6S
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 9A(Tc) 7.3A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V -
高度 - 16.15mm
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 32W
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC3
典型接通延迟时间 - 6ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
库存与单价
库存 68 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥19.3339
100+ :  ¥11.175
500+ :  ¥7.085
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6009ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥19.3339 

阶梯数 价格
1: ¥19.3339
100: ¥11.175
500: ¥7.085
68 当前型号
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