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R6009KNJTL  与  IPB60R600C6  区别

型号 R6009KNJTL IPB60R600C6
唯样编号 A-R6009KNJTL A-IPB60R600C6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 535mΩ@2.8A,10V 540mΩ
上升时间 - 9ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 94W(Tc) 63W
Qg-栅极电荷 - 20.5nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 80ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB -
连续漏极电流Id 9A(Tc) 7.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 13ns
典型接通延迟时间 - 12ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA 3.5V @ 200µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V 440pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.5nC @ 10V 20.5nC @ 10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6009KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB11NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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