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R6011ENX  与  STF13NM60N  区别

型号 R6011ENX STF13NM60N
唯样编号 A-R6011ENX A3-STF13NM60N
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.36 Ohm 27 nC 90 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 390mΩ@3.8A,10V 360mΩ@5.5A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W 25W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220FP
连续漏极电流Id 11A 11A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 790pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 670pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
库存与单价
库存 486 8,000
工厂交货期 3 - 5天 5 - 7天
单价(含税)
1+ :  ¥20.7047
100+ :  ¥11.0563
500+ :  ¥7.9937
暂无价格
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¥20.7047 

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1: ¥20.7047
100: ¥11.0563
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