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R6014YND3TL1  与  IPD60R280P7  区别

型号 R6014YND3TL1 IPD60R280P7
唯样编号 A-R6014YND3TL1 A-IPD60R280P7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 600V 14A, TO-252, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 280mΩ
漏源极电压Vds - 600V
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 3V,4V
Special Features - price/performance
FET类型 - N-Channel
Qgd - 5.0 nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-252 DPAK (TO-252)
Mounting - SMT
连续漏极电流Id - 12A
RthJC max - 2.36 K/W
工作温度 - -55°C~150°C
QG (typ @10V) - 18.0 nC
Ptot max - 53.0W
Budgetary Price €€/1k - 0.63
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6014YND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252

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IPD60R280P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IPD60R280P7 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD60R280P7ATMA1_DPAK(TO-252)

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