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R6015KNJTL  与  STB21NM60ND  区别

型号 R6015KNJTL STB21NM60ND
唯样编号 A-R6015KNJTL A3-STB21NM60ND
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 290mΩ@6.5A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 184W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263-3
连续漏极电流Id 15A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6015KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB21NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB60R280P6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R280P6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB60R299CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R299CPATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
STB21NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB60R280P6 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPB60R280P6ATMA1_D2PAK(TO-263)

暂无价格 0 对比

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