R6020ENJTL 与 STB25NM60ND 区别
| 型号 | R6020ENJTL | STB25NM60ND | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-R6020ENJTL | A3-STB25NM60ND | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 196mΩ@9.5A,10V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 40W(Tc) | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263-3 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | - | ||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1400pF @ 25V | - | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 100 | 1,000 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 5 - 7天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥35.2095
|
100 | 当前型号 | ||||||||
|
STB27NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||
|
STB23NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||
|
|
STB25NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||
|
|
STB28NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||
|
AOB20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
