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R6020ENZ4C13  与  R6020ENZ1C9  区别

型号 R6020ENZ4C13 R6020ENZ1C9
唯样编号 A-R6020ENZ4C13 A-R6020ENZ1C9
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 196mΩ@9.5A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 231W(Tc) 120W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 196mOhms@9.5A,10V -
栅极电压Vgs 4V@1mA ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247 TO-247-3
连续漏极电流Id 20A(Tc) 20A(Tc)
工作温度 150℃(TJ) 150°C(TJ)
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg 60nC@10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
库存与单价
库存 30 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥41.3578
30+ :  ¥26.2208
60+ :  ¥52.7687
100+ :  ¥29.9199
450+ :  ¥18.9692
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