首页 > 商品目录 > > > > R6020KNJTL代替型号比较

R6020KNJTL  与  STB20N65M5  区别

型号 R6020KNJTL STB20N65M5
唯样编号 A-R6020KNJTL A3-STB20N65M5
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 196mΩ@9.5A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 231W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263-3
连续漏极电流Id 20A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1550pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 27,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6020KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 27,000 对比
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO263

暂无价格 0 对比
SPB20N60S5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB20N60S5ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
STB25NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售