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R6024ENJTL  与  STB20N65M5  区别

型号 R6024ENJTL STB20N65M5
唯样编号 A-R6024ENJTL A3-STB20N65M5
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ -
上升时间 50ns -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 245W -
Qg-栅极电荷 70nC -
栅极电压Vgs 2V -
典型关闭延迟时间 180ns -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263-3
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 24A -
系列 SuperJunction-MOSEN -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 50ns -
典型接通延迟时间 35ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 27,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6024ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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