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R6024KNJTL  与  IPB60R180P7  区别

型号 R6024KNJTL IPB60R180P7
唯样编号 A-R6024KNJTL A-IPB60R180P7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Ptot max - 72.0 W
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@11.3A,10V 180mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 245W(Tc) -
Ciss - 1081.0 pF
Rth - 1.74 K/W
RthJA max - 62.0 K/W
Coss - 19.0 pF
栅极电压Vgs ±20V 3V,4V
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 8.0 nC
Pin Count - 3.0 Pins
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK (TO-263)
Mounting - SMT
连续漏极电流Id 24A(Tc) 53A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
QG - 25.0 nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6024KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
IPB60R180P7 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPB60R180P7ATMA1_D2PAK(TO-263)

暂无价格 1,000 对比
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