R6024KNX 与 IPA60R190P6 区别
| 型号 | R6024KNX | IPA60R190P6 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-R6024KNX | A-IPA60R190P6 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.85mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 165mΩ@11.3A,10V | 190Ω |
| 上升时间 | - | 8ns |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 74W(Tc) | 34W |
| Qg-栅极电荷 | - | 37nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 45ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | - |
| 连续漏极电流Id | 24A(Tc) | 20.2A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | CoolMOSP6 |
| 长度 | - | 10.65mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | - | 7ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 15ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2000pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 45nC @ 10V | - |
| 高度 | - | 16.15mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6024KNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 74W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STF24NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 30W(Tc) 190mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 17A |
暂无价格 | 257,000 | 对比 |
|
STF26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A |
暂无价格 | 116,000 | 对比 |
|
|
STF24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A |
暂无价格 | 4,850 | 对比 |
|
IPA60R190P6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 20.2A 190Ω 20V 34W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 500 | 对比 |
|
AOTF20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO220F 50W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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