R6030KNXC7 与 IPA65R125C7 区别
| 型号 | R6030KNXC7 | IPA65R125C7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-R6030KNXC7 | A-IPA65R125C7 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 86W(Tc) | - |
| 宽度 | - | 4.85mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 125mΩ |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2350pF @ 25V | - |
| RthJA max | - | 80.0K/W |
| 栅极电压Vgs | - | 3V,4V |
| Special Features | - | highest performance |
| 封装/外壳 | TO-220FM | TO-220 FullPAK |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | - | 10A |
| QG (typ @10V) | - | 35.0 nC |
| Ptot max | - | 32.0W |
| 长度 | - | 10.65mm |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 130 毫欧 @ 14.5A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - |
| 高度 | - | 16.15mm |
| Budgetary Price €/1k | - | 2.04 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| Moisture Level | - | NA |
| 漏源极电压Vds | - | 650V |
| FET类型 | N 通道 | N-Channel |
| Pin Count | - | 3.0Pins |
| Mounting | - | THT |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA | - |
| RthJC max | - | 3.85 K/W |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 30A(Tc) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 56nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6030KNXC7 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STF36N60M6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 18,000 | 对比 |
|
IPA60R120P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 26A(Tc) ±20V 28W(Tc) 120mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
STF33N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STF35N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPA65R125C7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
125mΩ 650V 10A TO-220 FullPAK N-Channel 3V,4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
