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R6046FNZ1C9  与  IPW60R075CP  区别

型号 R6046FNZ1C9 IPW60R075CP
唯样编号 A-R6046FNZ1C9 A-IPW60R075CP
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 46A TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 120W(Tc) -
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 68mΩ
上升时间 - 17ns
Qg-栅极电荷 - 116nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6230pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-247 -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 39A
配置 - Single
长度 - 16.13mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 98 毫欧 @ 23A,10V -
Vgs(最大值) ±30V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 7ns
高度 - 21.1mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 313W
典型关闭延迟时间 - 110ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCE
25°C时电流-连续漏极(Id) 46A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
典型接通延迟时间 - 40ns
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6046FNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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