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R6061YNZ4C13  与  IPW60R041C6  区别

型号 R6061YNZ4C13 IPW60R041C6
唯样编号 A-R6061YNZ4C13 A-IPW60R041C6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 600V 61A, TO-247, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 37mΩ
上升时间 - 10ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 481W
Qg-栅极电荷 - 290nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 130ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247 -
连续漏极电流Id - 77.5A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 16.13mm
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 23ns
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6061YNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247

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