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R8002ANJFRGTL  与  R8002ANJGTL  区别

型号 R8002ANJFRGTL R8002ANJGTL
唯样编号 A-R8002ANJFRGTL A-R8002ANJGTL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263S-3 -
连续漏极电流Id 2A -
工作温度 -55°C~150°C -
通道数量 1 Channel -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3Ω -
配置 Single -
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 62W -
Qg-栅极电荷 13 nC -
栅极电压Vgs 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R8002ANJFRGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263S-3

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R8002ANJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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