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R8006KNXC7G  与  IPA70R900P7S  区别

型号 R8006KNXC7G IPA70R900P7S
唯样编号 A-R8006KNXC7G A-IPA70R900P7S
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 52W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 900mΩ
Ciss - 211.0 pF
RthJA max - 80.0 K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 650 pF @ 100 V -
Coss - 5.0 pF
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
Special Features - price/performance
封装/外壳 TO-220FM TO-220 FullPAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22 nC @ 10 V -
工作温度 150°C(TJ) -40°C~150°C
连续漏极电流Id - 6A
QG (typ @10V) - 6.8 nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 900 毫欧 @ 3A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
IDpuls max - 12.8 A
Budgetary Price €€/1k - 0.27
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 700V
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 2.6 nC
Pin Count - 3.0 Pins
Mounting - THT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 4mA -
RthJC max - 6.1 K/W
Ptot max - 20.5 W
25°C时电流-连续漏极(Id) 6A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 800 V -
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥31.3804
50+ :  ¥19.8952
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R8006KNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM

¥31.3804 

阶梯数 价格
1: ¥31.3804
50: ¥19.8952
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