| 型号 | R8008ANX | AOTF10N65 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-R8008ANX | A-AOTF10N65 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Crss(pF) | - | 10 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.03Ω@4A,10V | 1000mΩ@10V | ||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||
| Qgd(nC) | - | 11.3 | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | 30V | ||||||
| Td(on)(ns) | - | 30 | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220F | ||||||
| 连续漏极电流Id | 8A(Ta) | 10A | ||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||
| Ciss(pF) | - | 1369 | ||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | - | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1080pF @ 25V | - | ||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||
| Trr(ns) | - | 320 | ||||||
| Td(off)(ns) | - | 74 | ||||||
| 漏源极电压Vds | 800V | 650V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 50W(Tc) | 50W | ||||||
| Qrr(nC) | - | 6000 | ||||||
| VGS(th) | - | 5 | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 39nC @ 10V | - | ||||||
| Coss(pF) | - | 118 | ||||||
| Qg*(nC) | - | 27.7* | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 100 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R8008ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
¥39.7313
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100 | 当前型号 | ||||||||
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STF7NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 73,000 | 对比 | ||||||||
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AOTF10N65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 650V 30V 10A 50W 1000mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
STF8N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STFU9N65M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPA80R1K2P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 4.5A(Tc) ±20V 25W(Tc) 1.2Ω@1.7A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |