R8009KNXC7G 与 R8010ANX 区别
| 型号 | R8009KNXC7G | R8010ANX | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-R8009KNXC7G | A33-R8010ANX | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | High-speed Switching Nch 800V 9A Power MOSFET | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 59W(Tc) | - | ||||||||||||
| 宽度 | - | 10.3mm | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 560mΩ | ||||||||||||
| 上升时间 | - | 54ns | ||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 62nC | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 900 pF @ 100 V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 3V | ||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 2.2S | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 27 nC @ 10 V | - | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 10A | ||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||
| 长度 | - | 15.4mm | ||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 600 毫欧 @ 4.5A,10V | - | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||||
| 下降时间 | - | 25ns | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1750pF @ 25V | ||||||||||||
| 高度 | - | 4.8mm | ||||||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 40W | ||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 97ns | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 5mA | - | ||||||||||||
| 系列 | - | R8010ANX | ||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 9A(Ta) | - | ||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 800 V | - | ||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 43ns | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 62nC @ 10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 125 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R8009KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel TO-220-3 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
R8008ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 600 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
R8010ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V |
暂无价格 | 165 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
R8010ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V |
￥60.4075
|
125 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
R8008ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
￥39.7313
|
100 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
R8010ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V |
￥20.9152
|
100 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
