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RCJ120N20TL  与  IRF630NSTRLPBF  区别

型号 RCJ120N20TL IRF630NSTRLPBF
唯样编号 A-RCJ120N20TL A-IRF630NSTRLPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 82 W 35 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 325mΩ@6A,10V 300mΩ@5.4A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 1.56W(Ta),40W(Tc) 82W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263AB
连续漏极电流Id 12A(Tc) 9.3A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 575pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.25V @ 1mA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V 575pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V 35nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RCJ120N20TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
IRF630NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263AB

暂无价格 0 对比

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