RCJ120N20TL 与 IRF630NSTRLPBF 区别
| 型号 | RCJ120N20TL | IRF630NSTRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RCJ120N20TL | A-IRF630NSTRLPBF |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 200 V 82 W 35 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -D2PAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 325mΩ@6A,10V | 300mΩ@5.4A,10V |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.56W(Ta),40W(Tc) | 82W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 12A(Tc) | 9.3A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 575pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.25V @ 1mA | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 740pF @ 25V | 575pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | 35nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RCJ120N20TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 200V 12A(Tc) ±30V 1.56W(Ta),40W(Tc) 325mΩ@6A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRF630NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 82W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 300mΩ@5.4A,10V N-Channel 200V 9.3A TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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