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RCJ300N20TL  与  IRFS31N20DPBF  区别

型号 RCJ300N20TL IRFS31N20DPBF
唯样编号 A-RCJ300N20TL A-IRFS31N20DPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 80mΩ 82mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) - 3.1W(Ta),200W(Tc)
栅极电压Vgs 10V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
连续漏极电流Id 30A 31A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
系列 RCJ300N20 HEXFET®
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2370pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 107nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2370pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 107nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RCJ300N20TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30A 80mΩ 200V 10V TO-263-3 N-Channel

暂无价格 0 当前型号
IRFS31N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.1W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 82mΩ@18A,10V N-Channel 200V 31A D2PAK

暂无价格 0 对比

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