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RD3L140SPFRATL  与  RSD140P06TL  区别

型号 RD3L140SPFRATL RSD140P06TL
唯样编号 A-RD3L140SPFRATL A-RSD140P06TL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 84mΩ -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -60V -
Pd-功率耗散(Max) 20W -
Qg-栅极电荷 27 nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 10V
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 - P 通道
封装/外壳 TO-252-3 CPT3
连续漏极电流Id 14A -
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
通道数量 1 Channel -
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 84 毫欧 @ 14A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 14A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RD3L140SPFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
RSD140P06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

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RSD140P06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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