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RD3P175SNFRATL  与  RSD175N10TL  区别

型号 RD3P175SNFRATL RSD175N10TL
唯样编号 A-RD3P175SNFRATL A-RSD175N10TL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 20W -
Qg-栅极电荷 24 nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 950pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 CPT3
连续漏极电流Id 17.5A -
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
通道数量 1 Channel -
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 105 毫欧 @ 8.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 17.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RD3P175SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

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RSD175N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

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RSD175N10FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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