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RE1J002YNTCL  与  RUE002N05TL  区别

型号 RE1J002YNTCL RUE002N05TL
唯样编号 A-RE1J002YNTCL A-RUE002N05TL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 150mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.2Ω@200mA,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 50V -
Pd-功率耗散(Max) 150mW -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 25pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 EMTF EMT3
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.2A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 1mA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 800mV @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 26pF @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
Vgs(最大值) - ±8V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 0.9V,4.5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 1.2V,4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 200mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 50V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥0.9647
100+ :  ¥0.547
1,000+ :  ¥0.3348
3,000+ :  ¥0.2531
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RE1J002YNTCL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

EMTF

¥0.9647 

阶梯数 价格
1: ¥0.9647
100: ¥0.547
1,000: ¥0.3348
3,000: ¥0.2531
0 当前型号
RUE002N05TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

EMT3

暂无价格 0 对比
RUE002N05TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

EMT3

暂无价格 0 对比

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