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RF4C050APTR  与  SSM6J501NU  区别

型号 RF4C050APTR SSM6J501NU
唯样编号 A-RF4C050APTR A-SSM6J501NU
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 26mΩ@5A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
栅极电压Vgs -8V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 8-PowerUDFN UDFN6B
连续漏极电流Id 10A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥7.9001
100+ :  ¥4.5663
1,500+ :  ¥2.895
3,000+ :  ¥2.0931
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4C050APTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerUDFN

¥7.9001 

阶梯数 价格
1: ¥7.9001
100: ¥4.5663
1,500: ¥2.895
3,000: ¥2.0931
100 当前型号
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