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RF4E060AJTCR  与  PMEG4010CEAX  区别

型号 RF4E060AJTCR PMEG4010CEAX
唯样编号 A-RF4E060AJTCR A3n-PMEG4010CEAX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET SBD肖特基二极管
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2W(Ta) -
反向电压Vr - 40V
漏源极电压Vds 30V -
产品特性 - 车规
RdsOn(Max)@Id,Vgs 37mOhms@6A,4.5V -
栅极电压Vgs 1.5V@1mA -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 DFN2020-8 SOD-323
反向漏电流Ir - 8uA
连续漏极电流Id 6A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
反向峰值电压Vrrm - 40V
正向电压Vf - 0.84V
尺寸 - 1.7 x 1.25 x 0.95
正向电流If - 1A
Vgs(最大值) ±12V -
栅极电荷Qg 4nC@4.5V -
正向浪涌电流Ifsm - 8A
二极管电容 - 24pF@VR=1V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥0.2868
6,000+ :  ¥0.2753
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E060AJTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6A(Ta) N-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 30V

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0 对比

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