RF4E070BNTR 与 74LVCH2T45GT,115 区别
| 型号 | RF4E070BNTR | 74LVCH2T45GT,115 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RF4E070BNTR | A-74LVCH2T45GT,115 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 变换器/转换器 | ||
| 描述 | 30V, 7A, 28.6 MOHM, PQFN 2X2 | IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28.6mΩ@7A,10V | - | ||
| 工作热阻 | - | 144,307 | ||
| 电源电压 | - | 1.2 - 5.5V,1.2 - 5.5V | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | - | ||
| 传播延迟时间 | - | 2.5ns | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| 封装/外壳 | HUML2020L8 | SOT833 | ||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -40°C~125°C | ||
| 连续漏极电流Id | 7A | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 410pF @ 15V | - | ||
| 输出电流 | - | ± 24mA | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.9nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||
| 通道数 | - | 2 | ||
| 逻辑切换水平 | - | CMOS/LVTTL | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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RF4E070BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A |
￥0.5379
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0 | 当前型号 | ||||
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||
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74LVCH2T45GT,115 | Nexperia | 数据手册 | 变换器/转换器 |
SOT833 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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BUK6D72-30EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 15W 175°C 1.5V,20V 30V 11A 车规 |
暂无价格 | 80 | 对比 | ||||
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PMPB100ENEX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 2W 175°C 20V,1.5V 30V 5.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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PMPB50ENEX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1220 N-Channel 0.0019W 175°C 20V,1.5V 30V 6.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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